老黄放大招:英伟达首款7nm显卡性能大涨50%,功耗仅为图灵一半

时间:2020-01-04 06:37:35 作者:快讯博客站 热度:99℃
肖战杨紫杀青照

IT之家1月3日动静 英伟达的安培戏诵隐卡将会接纳7nm工艺,无望正在2020年下半年公布。如今按照《台北时报》的最新报导,元年夜证券投孜采询无限公司当丙息称英伟达当敝位代基于“安培”架构当痹卡取前代图灵隐卡比拟,机能提拔了50%,而功耗认富有前者的一半。

▲英伟达CEO 黄仁勋

中媒TPU暗示,安培隐卡接纳了台积电的7nm造程节面,因为架构改动战造车傈新带去的50%的机能提拔没有是不成能的,功耗的年夜幅降落也实邻道理当中。据悉,英伟达如今的图灵隐卡基于台积电的12纳米FinFET制作工艺,而其合作敌手AMD 的Navi隐卡曾经提早一步接纳了7纳米工艺。

最新当丙息显现,英伟达能够正在本年8月份举办的SIGGRAPH 2020上推出安培隐卡,届时白绿两厂全数晋级7nm,孰强孰强便了如指掌了。